交流共促丨热烈欢迎李雁樵博士来访莱特葳芯

交流会

 交流会上，莱特葳芯CEO刘天奇博士介绍了我司的发展历程并分享了他的创业经验，李雁樵博士则为大家带来了题目为《A Pseudo-Adiabatic Switched-Capacitor Gate Driver for Si and GaN FETs Achieving >5x Power Reduction》的学术报告，详细介绍了其在高速率、低功耗栅极驱动技术方面的最新研究成果。

 李雁樵博士硕士毕业于密歇根大学，本科毕业于电子科技大学，目前共发表学术论文10篇（包括ISSCC 和JSSC各两篇），申请美国发明专利两项。2024年，李雁樵博士获得了IEEE固态电路协会颁发的“杰出博士成就奖”；2023年，获得了IEEE Workshops on Control and Modeling for Power Electronics (COMPEL)”最佳论文奖”。